SIR124DP-T1-RE3实物图
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SIR124DP-T1-RE3

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品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SIR124DP-T1-RE3
商品编号
C3289525
商品封装
PowerPAK-SO-8
商品毛重
0.000171千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):6pF@40V,导通电阻(RDS(on)):0.0103Ω@7.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):62.5W,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):1666pF@40V,连续漏极电流(Id):56.8A,连续漏极电流(Id):56.8A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)6pF@40V
导通电阻(RDS(on))0.0103Ω@7.5V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)30nC@10V
漏源电压(Vdss)80V
类型N沟道
耗散功率(Pd)62.5W
耗散功率(Pd)62.5W
输入电容(Ciss)1666pF@40V
连续漏极电流(Id)56.8A
连续漏极电流(Id)56.8A
阈值电压(Vgs(th))3.8V@250uA

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