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HY1310D
扩展库- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 厂家型号
- HY1310D
- 商品编号
- C358004
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.000488千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):102pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):54W,输入电容(Ciss):3900pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):33A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 输入电容(Ciss) | 3900pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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