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SE60120B
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SE60120B
- 商品编号
- C396077
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.00068千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):460pF,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):125nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):4900pF@25V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 4900pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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