MTD300N20J3实物图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

MTD300N20J3

扩展库
品牌名称
CYSTECH(全宇昕)
厂家型号
MTD300N20J3
商品编号
C373366
商品封装
TO-252-2
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):24pF,导通电阻(RDS(on)):395mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):15.6nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):529pF,输出电容(Coss):46pF,连续漏极电流(Id):8.3A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)24pF
导通电阻(RDS(on))395mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)15.6nC@10V
漏源电压(Vdss)200V
类型N沟道
耗散功率(Pd)50W
输入电容(Ciss)529pF
输出电容(Coss)46pF
连续漏极电流(Id)8.3A
阈值电压(Vgs(th))2.5V

数据手册PDF

暂无数据手册PDF

预订参考价

1.15 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车