温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
SLD70R900S2
扩展库- 品牌名称
- Maplesemi(美浦森)
- 厂家型号
- SLD70R900S2
- 商品编号
- C556820
- 商品封装
- TO-252-2
- 商品毛重
- 0.00045千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):1.9pF,导通电阻(RDS(on)):0.8Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19.2nC,漏源电压(Vdss):700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):58W,输入电容(Ciss):360pF,输出电容(Coss):21pF,连续漏极电流(Id):5A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):2V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 输出电容(Coss) | 21pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 配置 | 半桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
1.53 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车