导通电阻(RDS(on)):70Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:4个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):20V,栅源截止电压(VGS(off)):-,漏源电流(Idss):-,耗散功率(Pd):500mW,输入电容(Ciss):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 20V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 输入电容(Ciss) | - |