CMTI(kV/us):100kV/us,上升时间(tr):35ns,下降时间(tf):33ns,传播延迟 tpHL:140ns,传播延迟 tpLH:140ns,峰值输出电流:10A,工作温度:-40℃~+110℃,正向压降(Vf):1.4V,直流反向耐压(Vr):5V,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入侧工作电压:4.5V~5.5V,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 100kV/us | |
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 33ns | |
| 传播延迟 tpHL | 140ns | |
| 传播延迟 tpLH | 140ns | |
| 峰值输出电流 | 10A | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.4V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入侧工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥38.96/个 |
| 10+ | ¥33.77/个 |
| 30+ | ¥30.61/个 |
| 100+ | ¥27.95/个 |
| 102+ | ¥27.95/个 |
| 104+ | ¥27.95/个 |
整盘
单价
整盘单价¥25.714
850 PCS/盘
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