CMTI(kV/us):10kV/us,传播延迟 tpHL:0.7us,传播延迟 tpLH:0.7us,峰值输出电流:0.4A,工作温度:-40℃~+100℃,耗散功率(Pd):-,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,通道数:1,隔离电压(Vrms):3750V,驱动侧工作电压:10V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 10kV/us | |
| 传播延迟 tpHL | 0.7us | |
| 传播延迟 tpLH | 0.7us | |
| 峰值输出电流 | 0.4A | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3750V | |
| 驱动侧工作电压 | 10V~30V |