CMTI(kV/us):60kV/us,上升时间(tr):50ns,下降时间(tf):50ns,传播延迟 tpHL:250ns,传播延迟 tpLH:250ns,峰值输出电流:2.5A,工作温度:-40℃~+110℃,正向压降(Vf):1.6V,直流反向耐压(Vr):5V,耗散功率(Pd):-,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入侧工作电压:3.3V~5.5V,通道数:1,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 60kV/us | |
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 250ns | |
| 传播延迟 tpLH | 250ns | |
| 峰值输出电流 | 2.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.6V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入侧工作电压 | 3.3V~5.5V | |
| 通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.372/个 |
| 10+ | ¥10.374/个 |
| 30+ | ¥9.747/个 |
| 100+ | ¥9.101/个 |
| 500+ | ¥8.816/个 |
| 850+ | ¥8.683/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.683
850 PCS/盘