CMTI(kV/us):20kV/us,上升时间(tr):18ns,下降时间(tf):22ns,传播延迟 tpHL:190ns,传播延迟 tpLH:170ns,峰值输出电流:2.5A,工作温度:-40℃~+100℃,正向压降(Vf):1.57V,直流反向耐压(Vr):5V,耗散功率(Pd):-,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,通道数:1,隔离电压(Vrms):3750V,驱动侧工作电压:10V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 20kV/us | |
| 上升时间(tr) | 18ns | |
| 下降时间(tf) | 22ns | |
| 传播延迟 tpHL | 190ns | |
| 传播延迟 tpLH | 170ns | |
| 峰值输出电流 | 2.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.57V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 3750V | |
| 驱动侧工作电压 | 10V~30V |