CMTI(kV/us):35kV/us,上升时间(tr):35ns,下降时间(tf):35ns,传播延迟 tpHL:200ns,传播延迟 tpLH:200ns,工作温度:-40℃~+105℃,正向压降(Vf):1.37V,直流反向耐压(Vr):5V,耗散功率(Pd):745mW,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 35kV/us | |
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 35ns | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 传播延迟 tpLH | 200ns | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 正向压降(Vf) | 1.37V | |
| 直流反向耐压(Vr) | 5V | |
| 耗散功率(Pd) | 745mW | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.35/个 |
| 10+ | ¥3.53/个 |
| 30+ | ¥3.12/个 |
| 100+ | ¥2.71/个 |
| 500+ | ¥2.47/个 |
| 1000+ | ¥2.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.162
1000 PCS/盘
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