CMTI(kV/us):50kV/us,传播延迟 tpHL:200ns,传播延迟 tpLH:200ns,峰值输出电流:4A,工作温度:-40℃~+105℃,耗散功率(Pd):745mW,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,通道数:1,隔离电压(Vrms):5000V,驱动侧工作电压:15V~30V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动光耦 | |
| CMTI(kV/us) | 50kV/us | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 传播延迟 tpLH | 200ns | |
| 峰值输出电流 | 4A | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 耗散功率(Pd) | 745mW | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 通道数 | 1 | |
| 隔离电压(Vrms) | 5000V | |
| 驱动侧工作电压 | 15V~30V |