数量:1个NPN-预偏置,晶体管类型:NPN,最大输入电压(VI(off)):0.5V@100uA,5V,最小输入电压(VI(on)):1.1V,特征频率(fT):250MHz,电阻比率:0.056,直流电流增益(hFE):80,耗散功率(Pd):202mW,输入电阻:2.2kΩ,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.25V,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):100mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 0.5V@100uA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.1V | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 电阻比率 | 0.056 | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 耗散功率(Pd) | 202mW | |
| 输入电阻 | 2.2kΩ | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.25V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |