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HDTC114EU3T106
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HDTC114EU3T106
- 商品编号
- C42389364
- 商品封装
- SOT-323
- 商品毛重
- 0.000025千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN-预偏置,晶体管类型:NPN,最大输入电压(VI(off)):0.5V@100uA,5V,最小输入电压(VI(on)):3V@10mA,300mV,特征频率(fT):250MHz,电阻比率:1.2,直流电流增益(hFE):30,耗散功率(Pd):200mW,输入电阻:13kΩ,输出电压(VO(on)):300mV,集电极电流(Ic):100mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 0.5V@100uA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
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