反向传输电容(Crss):9.4pF,导通电阻(RDS(on)):11.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):178.6W,输入电容(Ciss):3310pF,输出电容(Coss):268pF,连续漏极电流(Id):120A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 3310pF | |
| 输出电容(Coss) | 268pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.0465/个 |
| 10+ | ¥5.865/个 |
| 50+ | ¥5.0915/个 |
| 100+ | ¥4.361/个 |
| 500+ | ¥4.0375/个 |
| 1000+ | ¥3.893/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.68418
50 PCS/盘
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