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VNN3NV04PTR-E
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- VNN3NV04PTR-E
- 商品编号
- C443999
- 商品封装
- SOT-223-4
- 商品毛重
- 0.000234千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):250ns,下降时间(tf):250ns,工作温度:-40℃~+150℃,特性:过流保护,特性:过热保护,特性:过压保护,负载类型:MOSFET
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 250ns | |
| 下降时间(tf) | 250ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过流保护 | |
| 特性 | 过热保护 | |
| 特性 | 过压保护 | |
| 负载类型 | MOSFET |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.048/个 |
| 10+ | ¥5.064/个 |
| 30+ | ¥4.528/个 |
| 100+ | ¥3.752/个 |
| 500+ | ¥3.48/个 |
| 1000+ | ¥3.352/个 |
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整盘单价¥3.352
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