反向传输电容(Crss):58pF@20V,反向传输电容(Crss):66pF@20V,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@4.5V,4A,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@5A,10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8.8nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):10.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):1060pF@20V,输入电容(Ciss):1154pF@20V,连续漏极电流(Id):9A,连续漏极电流(Id):6.5A,配置:-,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):3V,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@5A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 1060pF@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1154pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 配置 | - | |
| 配置 | 共漏 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |