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NVBGS6D5N15MC-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NVBGS6D5N15MC-VB
- 商品编号
- C47993769
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.00201千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):0.005Ω@10V,栅极电荷量(Qg):75nC,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):6500pF,输出电容(Coss):246pF,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.005Ω@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 6500pF | |
| 输出电容(Coss) | 246pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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