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LSGE10R080W3
扩展库- 品牌名称
- LONTEN(龙腾半导体)
- 厂家型号
- LSGE10R080W3
- 商品编号
- C483758
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001672千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):36pF@50V,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):2630pF@50V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 2630pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
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