反向传输电容(Crss):1.2pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2060pF@25V,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.2pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 2060pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥22.21/个 |
10+ | ¥19.04/个 |
30+ | ¥17.15/个 |
100+ | ¥15.24/个 |
500+ | ¥14.36/个 |
1000+ | ¥13.96/个 |
2000+ | ¥13.78/个 |
4000+ | ¥13.78/个 |
整盘
单价
整盘单价¥15.778
30 PCS/盘
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