反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.045Ω@10V,44A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):431W,输入电容(Ciss):6800pF@100V,连续漏极电流(Id):60A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.045Ω@10V,44A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 431W | |
| 输入电容(Ciss) | 6800pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥100.82/个 |
| 10+ | ¥97.67/个 |
| 12+ | ¥97.67/个 |
| 14+ | ¥97.67/个 |
| 16+ | ¥97.67/个 |
| 18+ | ¥97.67/个 |
整盘
单价
整盘单价¥89.8564
240 PCS/盘
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