反向传输电容(Crss):0.1pF@100V,导通电阻(RDS(on)):3.25Ω@10V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.63nC@640V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):20W,输入电容(Ciss):102pF@100V,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.25Ω@10V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.63nC@640V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 输入电容(Ciss) | 102pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |