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SIR826DP-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SIR826DP-T1-GE3
- 商品编号
- C511021
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 商品毛重
- 0.000135千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):130pF@40V,导通电阻(RDS(on)):0.0048Ω@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27.9nC@40V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):66.6W,耗散功率(Pd):104W,输入电容(Ciss):2900pF@40V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0048Ω@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.9nC@40V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 66.6W | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
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