NAND工作电压(VCCF):2.7V~3.6V,NAND待机电流:40uA,功能特性:硬件复位功能,功能特性:ECC纠错功能,功能特性:掉电数据保护功能,功能特性:内置磨损均衡功能,功能特性:坏块管理功能,功能特性:安全擦除功能,存储容量:4GB,工作温度:-25℃~+85℃,接口类型:eMMC 5.1,控制器工作电压(VCCQ):1.7V~1.95V,控制器工作电压(VCCQ):2.7V~3.6V,控制器待机电流:80uA,配置:MLC,顺序写速度:55MB/S,顺序读速度:60MB/S
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | eMMC | |
| NAND工作电压(VCCF) | 2.7V~3.6V | |
| NAND待机电流 | 40uA | |
| 功能特性 | 硬件复位功能 | |
| 功能特性 | ECC纠错功能 | |
| 功能特性 | 掉电数据保护功能 | |
| 功能特性 | 内置磨损均衡功能 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能 | |
| 功能特性 | 安全擦除功能 | |
| 存储容量 | 4GB | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 接口类型 | eMMC 5.1 | |
| 控制器工作电压(VCCQ) | 1.7V~1.95V | |
| 控制器工作电压(VCCQ) | 2.7V~3.6V | |
| 控制器待机电流 | 80uA | |
| 配置 | MLC | |
| 顺序写速度 | 55MB/S | |
| 顺序读速度 | 60MB/S |