射基极击穿电压(Vebo):-,工作温度:-,数量:1个PNP-预偏置,晶体管类型:PNP,最大输入电压(VI(off)):500mV@100uA,5V,最小输入电压(VI(on)):3V@20mA,0.3V,特征频率(fT):250MHz,电阻比率:1.2,直流电流增益(hFE):-,耗散功率(Pd):-,输入电阻:6.11kΩ,输出电压(VO(on)):0.3V@10mA,0.5mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):-,集电极截止电流(Icbo):-,集电极电流(Ic):100mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@20mA,0.3V | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电阻 | 6.11kΩ | |
| 输出电压(VO(on)) | 0.3V@10mA,0.5mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |