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DTC114YUA
扩展库- 品牌名称
- CBI(创基)
- 厂家型号
- DTC114YUA
- 商品编号
- C51315345
- 商品封装
- SOT-323
- 商品毛重
- 0.000029千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):-,工作温度:-,数量:1个NPN-预偏置,晶体管类型:NPN,最大输入电压(VI(off)):-,最小输入电压(VI(on)):1.4V@1mA,0.3V,特征频率(fT):250MHz,电阻比率:5.7,直流电流增益(hFE):68,耗散功率(Pd):200mW,输入电阻:13kΩ,输出电压(VO(on)):0.3V@5mA,0.25mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.3V@5mA,0.25mA,集电极截止电流(Icbo):-,集电极电流(Ic):100mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V@1mA,0.3V | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 电阻比率 | 5.7 | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 输出电压(VO(on)) | 0.3V@5mA,0.25mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.3V@5mA,0.25mA | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
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