反向传输电容(Crss):28pF,反向传输电容(Crss):23pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):5nC@10V,栅极电荷量(Qg):5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):210pF,输入电容(Ciss):199pF,输出电容(Coss):35pF,输出电容(Coss):47pF,连续漏极电流(Id):3A,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.6V,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 输入电容(Ciss) | 199pF | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 输出电容(Coss) | 47pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.873/个 |
| 50+ | ¥0.688/个 |
| 150+ | ¥0.595/个 |
| 500+ | ¥0.526/个 |
| 3000+ | ¥0.447/个 |
| 6000+ | ¥0.42/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.41124
3000 PCS/盘
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