三相半桥栅极驱动器，可驱动三相N沟道MOS或IGBT，集成自举二极管和拉灌平衡电路，有高边欠压保护和内置闭锁防止直通功能实物图

三相半桥栅极驱动器，可驱动三相N沟道MOS或IGBT，集成自举二极管和拉灌平衡电路，有高边欠压保护和内置闭锁防止直通功能缩略图

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三相半桥栅极驱动器，可驱动三相N沟道MOS或IGBT，集成自举二极管和拉灌平衡电路，有高边欠压保护和内置闭锁防止直通功能

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品牌名称: Semiment(赛卓)
厂家型号: ZH639D0NU
商品编号: C53184465
商品封装: QFN-24(4x4)
商品毛重: 0.000078千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: -

商品参数

上升时间(tr):100ns,下降时间(tf):50ns,传播延迟 tpHL:100ns,传播延迟 tpLH:100ns,功能特性:内置自举二极管,功能特性:交错导通保护,功能特性:死区时间控制,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:5V~12V,拉电流(IOH):2.5A,灌电流(IOL):2.5A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):0.7V,输入高电平(VIH):2.2V,静态电流(Iq):50uA,驱动通道数:3,驱动配置:三相

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属性	参数值	其他
商品目录	栅极驱动芯片
上升时间(tr)	100ns
下降时间(tf)	50ns
传播延迟 tpHL	100ns
传播延迟 tpLH	100ns
功能特性	内置自举二极管
功能特性	交错导通保护
功能特性	死区时间控制
工作温度	-40℃~+125℃
工作电压	5V~12V
拉电流(IOH)	2.5A
灌电流(IOL)	2.5A
特性	欠压保护(UVP)
负载类型	MOSFET
负载类型	IGBT
输入低电平(VIL)	0.7V
输入高电平(VIH)	2.2V
静态电流(Iq)	50uA
驱动通道数	3
驱动配置	三相