反向传输电容(Crss):203pF,导通电阻(RDS(on)):4.8mΩ@10V,103A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):151nC,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):517W,输入电容(Ciss):10470pF,连续漏极电流(Id):171A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 203pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,103A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 151nC | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 517W | |
输入电容(Ciss) | 10470pF | |
连续漏极电流(Id) | 171A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |