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BSC018NE2LSI
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- BSC018NE2LSI
- 商品编号
- C534299
- 商品封装
- TDSON-8-EP(5x6)
- 商品毛重
- 0.000171千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):110pF@12V,导通电阻(RDS(on)):1.8mΩ@4.5V,30A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):36nC,漏源电压(Vdss):25V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):3325pF@12V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@12V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 3325pF@12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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