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IPB65R115CFD7A
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB65R115CFD7A
- 商品编号
- C536637
- 商品封装
- TO-263-3
- 商品毛重
- 0.001859千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@10V,9.7A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):41nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):114W,输入电容(Ciss):1950pF@400V,连续漏极电流(Id):13A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@10V,9.7A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 输入电容(Ciss) | 1950pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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