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IPB80P03P4L-07
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPB80P03P4L-07
- 商品编号
- C536679
- 商品封装
- TO-263-3
- 商品毛重
- 0.001859千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):60pF@25V,导通电阻(RDS(on)):6.9mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):88W,输入电容(Ciss):5700pF@25V,连续漏极电流(Id):80A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 输入电容(Ciss) | 5700pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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