温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
RSQ015P10HZGTR
扩展库- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 厂家型号
- RSQ015P10HZGTR
- 商品编号
- C5878661
- 商品封装
- TSMT6(SC-95)
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):470mΩ@10V,1.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@5V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):950pF@25V,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):1V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V,1.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.747 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车