反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):540pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 540pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@1mA |