导通电阻(RDS(on)):400mΩ@10V,1A,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.7nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):90pF@10V,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V,1A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |