导通电阻(RDS(on)):16.5mΩ@4.5V,8A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.2nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):950mW,输入电容(Ciss):1810pF@15V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V,8A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 950mW | |
| 输入电容(Ciss) | 1810pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |