反向传输电容(Crss):270pF,导通电阻(RDS(on)):21.8mΩ@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):80nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):68W,输入电容(Ciss):3950pF,输出电容(Coss):360pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.8mΩ@10V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 输入电容(Ciss) | 3950pF | |
| 输出电容(Coss) | 360pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.17/个 |
| 10+ | ¥9.38/个 |
| 30+ | ¥8.26/个 |
| 100+ | ¥7.11/个 |
| 500+ | ¥6.59/个 |
| 1000+ | ¥6.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.301
2000 PCS/盘
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