反向传输电容(Crss):825pF,导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):172nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):180W,输入电容(Ciss):7700pF,输出电容(Coss):990pF,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 825pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 输入电容(Ciss) | 7700pF | |
| 输出电容(Coss) | 990pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.33/个 |
| 10+ | ¥10.94/个 |
| 30+ | ¥10.69/个 |
| 100+ | ¥10.43/个 |
| 102+ | ¥10.43/个 |
| 104+ | ¥10.43/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.43
2000 PCS/盘