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FDB86366-F085
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDB86366-F085
- 商品编号
- C605012
- 商品封装
- D2PAK
- 商品毛重
- 0.00227千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):32pF,导通电阻(RDS(on)):3.6mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):112nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):6280pF@40V,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 6280pF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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