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TK1R4S04PB,LXHQ
扩展库- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 厂家型号
- TK1R4S04PB,LXHQ
- 商品编号
- C6553737
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000437千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):1.9mΩ@6V,60A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):103nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):180W,输入电容(Ciss):5500pF@10V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@6V,60A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 输入电容(Ciss) | 5500pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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