反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):5.1mΩ@10V,42A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):56nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):104W,输入电容(Ciss):3980pF@40V,输出电容(Coss):1000pF,连续漏极电流(Id):84A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 55pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V,42A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 80V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 104W | |
输入电容(Ciss) | 3980pF@40V | |
输出电容(Coss) | 1000pF | |
连续漏极电流(Id) | 84A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.94/个 |
10+ | ¥8.14/个 |
30+ | ¥7.16/个 |
100+ | ¥6.04/个 |
500+ | ¥5.55/个 |
1000+ | ¥5.33/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.287
2500 PCS/盘
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