导通电阻(RDS(on)):7.7mΩ@10V,27.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):44nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):93W,输入电容(Ciss):2800pF@50V,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V,27.5A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 93W | |
输入电容(Ciss) | 2800pF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 55A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |