反向传输电容(Crss):50pF,导通电阻(RDS(on)):0.19Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):114nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):208W,输入电容(Ciss):2400pF,连续漏极电流(Id):20.7A,阈值电压(Vgs(th)):3.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.19Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 输入电容(Ciss) | 2400pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥30.935/个 |
| 10+ | ¥24.986/个 |
| 30+ | ¥19.0368/个 |
| 100+ | ¥19.0368/个 |
| 500+ | ¥19.0368/个 |
| 1000+ | ¥19.0368/个 |
整盘
单价
整盘单价¥19.0368
30 PCS/盘