反向传输电容(Crss):116pF,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,数量:-,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):1600pF,输出电容(Coss):155pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1600pF | |
| 输出电容(Coss) | 155pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |