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TK33S10N1Z,LQ
扩展库- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 厂家型号
- TK33S10N1Z,LQ
- 商品编号
- C7400260
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000427千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):9.7mΩ@10V,16.5A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):2050pF@10V,输出电容(Coss):1070pF,连续漏极电流(Id):33A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V,16.5A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 2050pF@10V | |
| 输出电容(Coss) | 1070pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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