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AGM612MNA
扩展库- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 厂家型号
- AGM612MNA
- 商品编号
- C7431159
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000138千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):18pF,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):1006pF,输出电容(Coss):182pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 1006pF | |
| 输出电容(Coss) | 182pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
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|---|---|
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