反向传输电容(Crss):51pF,导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):17.9nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):42W,输入电容(Ciss):1204pF,输出电容(Coss):536pF,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 输入电容(Ciss) | 1204pF | |
| 输出电容(Coss) | 536pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.504/个 |
| 50+ | ¥1.187/个 |
| 150+ | ¥1.0505/个 |
| 500+ | ¥0.881/个 |
| 2500+ | ¥0.762/个 |
| 5000+ | ¥0.717/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.668
5000 PCS/盘
嘉立创补贴6.83%
一盘能省掉245元