反向传输电容(Crss):39pF,导通电阻(RDS(on)):14.8mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):18.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):926pF,输出电容(Coss):505pF,连续漏极电流(Id):56A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.8mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 926pF | |
| 输出电容(Coss) | 505pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.403/个 |
| 50+ | ¥1.907/个 |
| 150+ | ¥1.664/个 |
| 500+ | ¥1.244/个 |
| 2500+ | ¥1.184/个 |
| 5000+ | ¥1.149/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.05708
5000 PCS/盘
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