反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):4.7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):44nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):36W,输入电容(Ciss):2460pF,输出电容(Coss):1330pF,连续漏极电流(Id):72A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 输入电容(Ciss) | 2460pF | |
| 输出电容(Coss) | 1330pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |