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AGM420MA
扩展库- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 厂家型号
- AGM420MA
- 商品编号
- C5184859
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.00014千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):105pF@20V,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):28mΩ,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20.5nC@10V,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):1130pF@20V,连续漏极电流(Id):23A,连续漏极电流(Id):22A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1130pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.528/个 |
| 50+ | ¥1.208/个 |
| 150+ | ¥1.0706/个 |
| 500+ | ¥0.9/个 |
| 3000+ | ¥0.785/个 |
| 6000+ | ¥0.74/个 |
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